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MOS&LDMOS
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MOS&LDMOS

MOS

MOS管中文名为场效应管,功能类似开关三级管,是一种压控元器件,有栅极(G),漏极(D),源极(S)三个极(管脚),通过控制栅极的电压来导通和关闭漏极和源极,由于有高输入阻抗和低导通电阻的特性,常用于各类需要大电流和高电压控制的产品电源设计中,起到电子开关及驱动大负载的作用。(点击产品即可下载规格书,下载选型表可下载全部MOS管规格书)


HP4N65HP7N65HP10N65HP12N65HO30P10D




LDMOS

LDMOS管俗称射频功放场效应管,有栅极(G),漏极(D),源极(S)三个极(管脚),常用于各类大功率射频产品的前中末端功放电路中,起到放大射频信号的作用。有100mW到几百W的输出功率规格,可以对几十MHz到3GHz的频率进行放大,目前我们有100mW到5W及Sub-1G范围的产品,也可延伸到更大功率及2.4GHZ的频段。 (点击产品即可下载规格书,下载选型表可下载全部MOS管规格书)


HPL09S0P1T2HPL09S0P2T1HPL09S0P5NHPL09S001NHPM09S0P5NHPM09S005N



MOS分类

 MOS管按工作方式分为两大类: N沟道和P沟道。N沟道用正电压控制, P沟道用负电压控制。

 

MOS分类图




MOS管封装种类

 MOS管封装种类较多,即使一个型号也有多个封装,常用种类如下: 

MOS管封装种类图



Mos开关原理(简要)

 Mos是电压驱动型器件,只要栅极和源级间给一个适当电压,源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为mos内阻,就是导通电阻<Rds(on)>。这个内阻大小基本决定了mos芯片能承受的最大导通电流(当然和其它因素有关,最有关的是热阻)。内阻越小承受电流越大(因为发热小)。


 

Mos在控制器电路中的工作状态

   开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。


Mos主要损耗也对应这几个状态

 开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内,mos即会正常工作,超出承受范围,即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗, 不同mos这个差距可能很大。


Mos损坏主要原因

过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁;

过压----------源漏过压击穿、源栅极过压击穿;

静电----------静电击穿。CMOS电路都怕静电;

 

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